NOR FLASH采用“或非”逻辑门电路flsh,可被电子删除和重编电子非易失性计算机存储媒体。
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闪存(Flash)存储单元为三端设备flsh,即源极、漏极和栅极。由于栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,浮置栅极中flsh的电荷不会泄漏,因此闪存具有记忆力。
NOR闪存擦除数据仍基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅底层),但在写入数据时采用热电子注入方法(电流从浮置栅极到源极)。在NOR闪存中,每个存储模块flsh的一端连接到源极,另一端连接到类似NOR门flsh的位线。
NOR的XIP特性,应用程序可以直接在Flash闪存中运行,无需在系统RAM中查看代码。NOR传输效率高,1-4MB体积小时成本效率高,但写入和擦除速率低,对其特性影响很大。
NOR FLASH属于非易失性存储,NOR读取速度快,适用于可擦除写入,作为代码存储的关键器件。
NOR作为原始代码的载体,广泛应用于各个智能行业。主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、loT、汽车电子、可穿戴设备、安全监控、人工智能等方面。其中,智能可穿戴、AMoleD屏幕、手机摄像、lot设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实等都有很大的增长空间。